FET - Feldeffekttransistoren - Unipolarer Transistor

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Beschreibung

FET - Feldeffekt-Transistor / Unipolarer Transistor Durch ein elektrisches Feld wird der Stromfluss durch den leitenden Kanal des Feldeffekt-Transistors gesteuert. Durch eine angelegte Spannung an der Steuerelektrode wird das elektrische Feld beeinflusst.

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Themenkreis

Es gibt folgende Feldeffekt-Transistoren:
  • Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor (Junction-FET, JFET)
  • Isolierschicht-Feldeffekt-Transistor
  • MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET)
  • Lowpower-MOSFET von Thomas Schaerer
  • Unijunctiontransistor (UJT)
  • Dual-Gate-MOS-FET
Anschlüsse


Die Anschlüsse beim FET werden anders bezeichnet als beim bipolaren Transistor. Die Anschlüsse haben aufgrund anderer physikalischer Eigenschaften eine andere Bedeutung.
Das Gate (Tor), kurz G, ist die Steuerelektrode. Der Drain (Abfluss), kurz D, ist mit dem Kollektor vergleichbar. Über diesen Anschluss fließt der Elektronenstrom ab. Der Source (Quelle), kurz S, ist mit dem Emitter vergleichbar. Dort fließt der Elektronenstrom in den FET hinein.

Übersicht einiger Feldeffekttransistoren Typ Kanal ID/A UDS/V PD/W RDS(ON)/Ω Gehäuse BSN 10A max. 175 mA max. 50 - max. 15 TO-92 BUZ 10 N 19 50 75 0,1 TO-220 BUZ 11 N 30 50 75 0,04 TO-220 BUZ 20 N 12 100 75 0,2 TO-220 BUZ 24 N 32 100 125 0,06 TO-3 BUZ 71 N 12 50 40 0,12 TO-220 BTS 100 P 1,5 50 - 0,3 TO-220 BUZ 271 P 22 50 125 0,15 TO-220 IRF 9530 U P 12 100 75 0,3 TO-220 IRF 9543 P 15 50 125 0,3 TO-220 Weitere verwandte Themen:
  • Bipolarer Transistor
  • Sperrschicht-Feldeffektransistoren (JFET)
  • MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET)
  • Lowpower-MOSFET von Thomas Schaerer
  • Fototransistor
  • Transistor-Vergleichsdatenbank
  • Transistor-Datenblatt